Snapdragon 8 Gen 3の性能は先代より大幅増加。一方で電力効率で消費電力増と爆熱化。

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QualcommのSnapdragon 8 Gen 3は先代より性能が大幅向上。一方で電力効率は11%ほど低下し爆熱気味に。

Qualcommはハイエンド向けSoCであるSnapdragon 8 Gen 3を正式に発表し、ベンチマークではApple A17 Proに匹敵するような高い性能を発揮しています。このSoCを搭載するスマートフォンの発売が期待されていますが、Xiaomi14 ProにこのSoCを搭載しテストしたGolden Reviewer氏の報告によると、Snapdragon 8 Gen 3は高性能であるものの、電力効率の面で劣っている可能性があるようです。

Golden Reviewer氏が実施したSPECint06ベンチマークによると、Snapdragon 8 Gen 3は先代のGen 2と比べて性能面で約13%向上しています。しかし、この性能向上に伴い、消費電力は4.90Wから6.27Wへと約28%増加し、電力効率は先代Gen 2よりも11%低下しているとのことです。

Snapdragon 8 Gen 3はTSMCの4nmプロセスを採用しており、プロセス面での電力効率向上は難しい状況です。そのため、Qualcommはアーキテクチャーの改良に加え、消費電力を増加させて性能を引き出していると考えられます。この消費電力の増加は、Snapdragon 8 Gen 3を搭載するスマートフォンでは、メーカーによる微調整や筐体設計によってサーマルスロットリングやバッテリー寿命の短縮といったデメリットが顕著になる可能性があります。ただし、Xiaomi14 Proのように適切な冷却機構を備えることで高性能を維持することも可能です。

最近のスマートフォン向けSoCでは、AppleのA17 Proでも発熱が問題視されており、パソコン用CPUと同様に性能向上のためにはアーキテクチャーの刷新やプロセスの微細化だけでなく、消費電力の増加と冷却性能の向上も重要な要素になっているようです。

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