サムスンが1枚あたり3GBの容量を持つGDDR7を発表。GeForce RTX 4080 24GBモデルに搭載される可能性も？
サムスンは2023年からGDDR7メモリモジュールの開発を進めており、すでに最大32Gbpsで動作する2GBモジュールの量産を開始しています。ただ、今後HBMより安価でありつつも高速なGDDR7Xメモリモジュールの需要は生成AIなどにより拡大する見込みであるため、業界初となる容量を実現したGDDR7を新たに発表しました。
サムスンが発表した新GDDR7は現行の2GB (16Gb)モジュールに対して、5世代目10nmプロセスを活用することで3GB(24Gb)モジュールに大容量化を実現し、前世代のGDDR6と同じパッケージサイズを維持しながらセル密度が50%向上しているとのことで、2GBモジュールのGDDR7に対して基板レイアウトなどを変更せずに3GBモジュールの搭載が可能になります。
なお、3GBモジュールを搭載することで、バス幅を拡大せずにグラフィックスカードのVRAM容量拡大が可能になるためバス幅に応じて以下の通りになります。
- 128-bit GPU：最大12GB
- 192-bit GPU：最大18GB
- 256-bit GPU：最大24GB
- 384-bit GPU：最大36GB
- 512-bit GPU：最大48GB
サムスンは具体的にこのGDDR7モジュールが製品に搭載されるかを明らかにしていませんが、GDDR7を全面的に採用するGeForce RTX 5000シリーズ中でRTX 5080が256-bitのバス幅を採用しつつ24GBのVRAM容量を持つモデルを発売すると噂されています。また、RTX 5060なども現行RTX 4060と同じくバス幅は128-bitになると言われているため、3GBモジュールを搭載することで、VRAM容量を8GBから12GBに拡大することができ、大容量なVRAMが求められる最近のゲームなどをより快適にプレイすることが可能になると考えられます。
Samsung Develops Industry’s First 24Gb GDDR7 DRAM for Next-Generation AI Computing | Samsung Newsroom
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