サムスン Exynos 2600 は新しいパッケージング技術を採用。発熱問題を解決へ

サムスン Exynos 2600 は放熱性能が向上。高いパフォーマンス維持が可能に

サムスンは2026年に2nm GAAプロセスで製造される新しいチップセットのExynos 2600を開発中で既にグラフィックス性能などはテストボード上ではあるものの非常に高い性能を発揮することが明らかにされています。ただ、先代のExynosなどでは性能が向上するものの、それに伴い発熱も増えスマートフォン筐体内にベイパーチャンバーなどの冷却機構を搭載してもなお、競合のSnapdragonに比べて熱による性能低下（サーマルスロットリング）が指摘され続けています。

しかし、サムスンではこのExynos 2600においてチップセットから効率よく排熱する新しい技術を採用することがリークで明らかにされています。

ETNewsによるとサムスンは現在プロトタイプで製造中のExynos 2600において新しいパッケージ技術としてFOWLP-HPB(Fan-Out Wafer Level Packaging Heat Patch Block)またはHPB (Heat Pass Block)と呼ばれる新技術を実装する計画とのことです。このFOWLP-HPBは従来のチップセット上にDRAMを配置する構造に対して、さらにDRAMの周囲にヒートシンク機能を持つ材質を並べることで通常の構造の場合DRAMを経由して放熱される熱が、HPBに流れることでより効率的に放熱することが出来るようです。

高い動作クロックの維持で性能を向上？ あとは2nm GAAの歩留まり

Exynos 2600はCPU側のベンチマークは最大3.55 GHzでの動作が記録され、これは競合のSnapdragon 8 Eliteに比べると劣る数字になっています。ただ、このような放熱機構が用意されれば最適化などが進めば最終的に最大クロックが劣っていても、より高い動作クロックを維持することが容易になるため、シングルコア・マルチコア性能共に高いスコアが期待できます。また、グラフィックス性能も放熱性能が優れるテストボード上ではSnapdragon 8 Eliteを約20%上回る性能を発揮できていましたが、このHPB採用とスマートフォン本体にベイパーチャンバーを付けることでスマートフォン上でも高いグラフィックス性能の維持が期待できることから、2026年に発売されるExysno 2600搭載のGalaxy S26シリーズで爆熱などの汚名返上が出来るのか、注目が集まりそうです。